半导体量子点(QDs)由于其具有发射光谱连续可调,色纯度高,荧光量子产率高以及易于合成制备。常用于的量子点均为核壳结构,且大部分是基于CdS,CdZnS,CdZnSeS,ZnSe的核壳结构。
由于量子限域效应,纳米晶尺寸越小,其能隙宽度越大,其发光波长越短。传统的二元量子点只能通过调控尺寸来调节其发光范围,而当量子点小于2nm时,其稳定性极差,且不利于外延生长壳层来钝化表面。对于合金量子点,可以通过调控量子点尺寸和组分的双重手段来调控量子点的发光波长,更容易获得高质量的蓝色发光量子点。
采用相同成核方法,通过引入梯度合金中间壳层CdxZn(1-x)S,制备高质量的ZnCdS/CdxZn_、(1-x)S/ZnS深蓝色量子点,对合金壳层中Cd的含量x值进行优化,研究其对量子点的发光强度、寿命、量子产率等光学性能以及形貌结构的影响。
ZnCdS/CdxZn(1-x)S/ZnS量子点在较高的温度下外延生长时能够保持较好稳定性,且具有良好的单分散性,较高的光致发光量子产率和较高的色纯度(FWHM18nm)。ZnCdS/CdxZn(1-x)S/ZnS量子点具有良好的化学/光化学稳定性和更高效的载流子传输性能,CdxZn(1-x)S外壳的存在对器件的外部量子效率和电流效率等性能产生了深刻的影响。
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