杂质产生机理的正确分析步骤

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最近有一同事请教了一个问题,如下图所示的一个还原胺化反应,始终产生虚线框中的杂质(经结构确认),很是疑惑,百思不得其解。

单从杂质和产物的关系来看,杂质是产物和甲酸或甲酸衍生物反应之后生成的甲酰胺。首先我先询问了甲醇中有无甲酸检测出来,回答是没有检测,但是该杂质比较大,有2%-3%,甲醇中不可能有这么多甲酸。确实是这样,那会不会是金属离子催化导致的?这可能性也不大,甲醇是蒸出来的,不可能带金属。储存过程中,甲醇基本没有腐蚀性,含有金属离子的可能性也比较小。经过上述排除,基本可以确定杂质是还原过程产生的。

从结构组成来看,杂质比产物多个羰基,这个羰基很可能来自原料——对氟苯甲醛,中间可能有脱对氟苯的过程,而且具有较大的可能性,原因如下:

这个过程中的两个反应物是原料对氟苯甲醛和产物,二者量都很大,有很大反应的可能性。

对氟苯基负离子由于有强电负性氟的存在,有较好的稳定性,脱对氟苯理论可行。

接下来,我们将原料和产物反应试试看,看看能否得到目标杂质。产物的胺作为亲核试剂进攻醛基,形成氧负离子(碱性条件下生成的可能性很大)。在C1所连的四个基团中,按电负性从大到小排列,依次为胺基,对氟苯基,氢,氧负离子。氧负离子电负性最小,有强烈的给电子倾向,胺基作为电负性最大基团是第一离去基,这种情况下会重新得到产物和原料。对氟苯基作为第二离去基,也具有一定的离去可能性,对氟苯基离去就会得到目标杂质。氢为第三离去基,其离去得到对氟苯甲酰基胺的产物,不过氢的电负性较小,这种可能性极低。

因此目标杂质的产生很简单,就是原料和产物反应得到。要想避免该杂质的生成,一是要减量减少还原剂的用量,碱性不要太强。而是降低温度,防止脱对氟苯基。这个反应其实还有一个明显杂质就是对氟苄醇,醛的活性要比亚胺高,一般需要使用活性比硼氢化钠弱的还原剂,比如氰基硼氢化钠,三乙酰氧基硼氢化钠,然后在弱酸条件下进行(活化亚胺)。这两种取代的硼氢化钠也有软碱的味道,对还原亚胺更有利。

总结一下,上述分析杂质产生机理步骤为:

要有杂质的确切结构,至少要有高分辨质谱分子量。

将杂质的结构与原料,产物,甚至主要中间体的结构进行比较,判断是否有结构碎裂。

判断最可能的碎裂方式。将各种碎裂方式汇总,选择符合电负性规律的方式。

判断实验条件是否与杂质产生的过程符合,并得出结论。

很多时候,杂质产生的机理可能不止一条,而且可能都是合理的。这时可以对比下各种机理可能性大小,选择最大可能性的一种机理。下面,介绍上述杂质产生的第二种机理(可能性不如第一种大,但是也比较合理。)

对正常的反应机理进行分析,发现其中与主反应不同的反应位点,这是判断杂质来源的第二种方法。

上图是产物的生成路线,其中M1和M2都能被还原得到产物。观察M1的分子结构可以发现,C1上有四个基团,按电负性大小排列,依次为羟基,氨基,对氟苯基,氢。羟基,氨基作为电负性大的基团,均可作为离去基。C2位上的羟基具有独对电子可以作为亲核试剂。因此M1既可以发生消除反应得到亚胺M2(E2消除,N原子上氢酸性强,容易接受碱的电子而离去),也可以发生分子内的亲核取代得到5元环状产物M2′(离去基为羟基,为类缩醛)和Mx(离去基为氨基,为缩醛,不稳定,容易返回生成苯甲醛)。

从反应情况来看,生成亚胺应该是主要反应。由于符合亲核取代反应的原则,M2′生成的可能性也不小,Mx的生成不符合离去活性最高的基团离去的原则,可能性较低。

对于M2′,N上氢的酸性较强,容易与碱结合离去,从而发生消除反应。消除有两个方向,一个是氧原子作为离去基,重新生成M1,另一个是对氟苯作为离去基(由于氟电子的强吸电性质,苯环缺电子,对氟苯负离子有一定的稳定性。)生成4,5-二氢-1,3-噁唑。

噁唑氮原子有孤对电子可以与醛基进行亲核加成(但是由于其亲核性较弱,因此与第一条路线相比,该条路线可能性稍低),然后与水加成,消除水,还原,开环得到杂质。具体生成过程如下:

总结:第二种方法以主反应的反应机理为研究起点,通过对机理中其他反应位点的发现来研究杂质的生成途径,目标性较差,主要是用来分析杂质谱,或杂质谱中的工艺杂质。第一种方法则是用来研究中间体或产物的降解产物,目标性强,但是对工艺杂质可能无能为力。因此,在分析杂质产生机理时,最好先尝试第一种方法,第一种方法得不到合理结果时,再尝试第二种分析方法。

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