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晶科能源目前具有三个明显优势：
1、晶科能源全球化程度领先，组件出货连续四年居于冠军宝座，海外销售占比80%以上。有行业领先的品牌和渠道，并在多个主流市场市占率排名第一。
2、垂直一体化程度的领先。第一个五年公司就建立了一体化产能。去年底硅片、电池、组件产能分别达到32.5/24/40GW，N型电池产能规模投产进一步提升一体化率，同时还将建成7GW海外垂直一体化。
3、技术领先。公司年开始topcon产能布局，各项工艺都得到了验证，去年10月，公司Topcon电池转换效率达到25.4%，第四次打破纪录。规模量产效率已经达到24.5%，良率接近perc，一体化成本也与perc基本持平，未来有技术储备可以持续提效降本。组件环节，公司去年11月应用了topcon的旗舰产品TigerNeo，凭借低衰减、低温度系数、高双面率可以帮助用户提高3%的发电，同时少占地的特点也更适用于集中式电站的需求。产能方面，晶科能源在今年1、2月分别于合肥、尖山分别投产8产能，各项指标均符合预期，有望实现提前瞒产。得益于N型组件产能的快速提升，全年出货有望达到10GW，海外分销市场目前供不应求，国内大型地面电站也陆续有N型产品中标，N型产品也是凭借着优异的性能，综合溢价表现也是符合预期的。Q：合肥、尖山产能情况？技术指标以及后续扩产计划？
目前公司合肥、尖山一期项目对外公告均是8GW产能，合计16GW。合肥今年1月投产，尖山项目2月投产。合肥和尖山都比预期达产时间提前了2-3周。
产线效率、良率方面，已经交付的产线效率是24.5%以上，良率已接近perc，比perc略低一点点。公司后续电池片扩产都是以Topcon为主。Q：市场传闻晶科topcon组件的ctm指标不是特别好，实际情况怎么样？
我们没有发现这个情况，可能是一些人看到我们不同的数据来源，CTM根据组件版型的不同是各不相同的，双玻的CTM就会明显低于单玻。我们内部都是单玻组件作为衡量指标的。Topcon的CTM已经接近perc正常水平，并不存在topcon的ctm明显比perc低的情况。Q：硅片电池+组件相比perc的成本差异？
目前Topcon产能还在爬坡阶段，电池成本会稍微高一点，量产爬坡完成后N、P同成本就可以达成。Topcon组件功率比perc高几个挡位。
成本方面，组件功率高带来的单瓦成本下降。第二，N型硅片再单片功率也比P型高，N型硅片也可以做到更薄，这两个方面加起来在硅片环节也会有优势。
电池制程复杂一点，N型比P型有大概几分钱左右的劣势，从而构成了一体化成本基本一样的结论。Q：国内组件也在陆续招标，有明显的溢价，国内外合理溢价水平？
定价方面，我们是和客户公分利益的，会考虑到客户的利益。Q：LPCVD取得了更快的进步，如何定性地说明解决绕镀的方式？
我们的解决方式更多的不是传统的背靠背的方式插片，就是一片一片，没有背靠背的方式插片，背面形成了比较均匀的膜层。我们通过后续化学方法的处理，可以把膜层更好处理掉，不会有绕镀残留。
之前会有很多顾虑，担心影响产能。我们通过压缩炉管运作时间，扩大作业设备的产能，极大地缓解了产能对成本的影响。产能影响对成本影响很小，所以我们是在行业内率先解决了绕镀问题。Q：公司效率目标如何？
晶科topcon电池片效率预计每年提升0.5%。也说明了我们有相应的技术储备能力。Q：按照72版型估算，单玻为例，可以做到W，估算是否正确？
如果是说大版型，相比于PERC的功率领先接近20W是可以做到的。Q：N型硅片环节硅料比较贵，非硅拉棒数量，硅成本来看，减薄后单瓦成本怎么看？
硅片环节可以做到N型比P型领先。主要一方面是通过减薄，另一方面N型棒长可以拉的更长，出片数也会更多。Q：公司Topcon良率如何？
公司最早的海宁MW的N型产线，良率和perc一样。爬坡中的产线，还差1-2个月彻底交付生产，良率和perc只有微小的差距。
高温导致的问题，核心还是放片的方式。高温会导致破片增加，但是我们在高温过程中运用的是横插片的方式，载具和片子的接触点比较多，就减少了高温产生的不良的影响。Q：公司的Topcon产能预留了哪些设备和工艺提升效率？
我们确实预留了很多升级空间，是能够保证明年后年各提升0.5%的。但目前技术细节处于保密阶段。Q：激光设备应用情况？硼扩、开槽、丝印是否都有应用？有没有可能的激光设备的应用？
第一代的topcon电池技术现在是没有的。未来激光是一个非常有技术含量的工序，我们肯定是在做相关的开发和研究，在进行开发和储备。
激光肯定是会应用的，时间点不会放到非常长的维度上，现在技术进步很快。Q：版型组件的功率是多少？
按照CTM接近的话，我们应该是W，我们现在主流是W附近。平均W，少量W、W。Q：Topcon是温度比较高的工艺，薄片化之后会不会影响到良率？
大家认为高温会影响良率，我们主要通过横插片，使得夹具和片子的接触点变多，降低了高温对良率的影响。Q：一套topcon产线投资额？未来是否还有下降空间？
和perc产线投资差额在20%左右，预计还有非常大的下降空间。预计未来单GW资金投入会进一步降低，我们可以通过一些环节上优化工艺的方式，把工艺时间进一步缩小，所以单GW的投资成本会进一步下降。Q：公司后续的降成本目标？
稳定量产前提下，是做到和perc成本持平，预计今年年底、明年上半年，N型产线会比P型产线低1分钱以上。2年左右的时间，会进一步下降，达到3分钱以上的成本领先。主要的成本下降主要是靠提高效率，明年功率扩大到4-5个挡位，后年会扩大到6个挡位，成本自然会下降。
另外就是银浆的节省、新技术的导入方面。Q：银浆的节省上，量产线银浆耗量情况？2-3年能降到什么水平？
可以看到我们N型和P型的银浆不是1：2的关系，我们N型比P型增加控制在了50%以内。
未来银浆降本，我们认为后续的新技术也会进一步出现。未来颠覆性技术出现，银浆耗量会进一步下降，而且因为N型是两面银浆，成本降幅会更大。Q：核心设备的LPCVD后续是怎么考虑的？改造技术如何？
目前我们还是在用LPCVD，产能可以进一步做大，成本可以进一步降低。我们也在PECVD、PEALD，我们看到POLY层和氧化层的生长，LPCVD成膜的均匀性和致密性是最好的，目前LP还是占据一定优势。未来PECVD、PEALD能否进一步进步甚至超越LPCVD，我们也在进一步验证。Q：效率如何进一步做高？
预计后续每年提升0.5%的水平。不管是SE的结构，还是双面poly，都在我们的路线图当中。Q：硅片减薄是会在今年6月满产以后导入，还是逐步推进的过程？预期能做到多薄？
实际量产都已经在μm以内的硅片了，每减10μm，大概对应2分5左右的成本水平。预计未来3年左右时间进一步下降。Q：夹具改进的壁垒高吗？
这也是我们前期的核心壁垒。在topcon开发过程中，壁垒非常多，从开始的硅片，到电池到组件，各环节工艺都是独特的，包括独特的设备，以及最新的工艺。所以工艺的壁垒不是一处，而是方方面面。所以我们会在相当长的时间，保持一定技术壁垒。Q：topcon组件相比于perc组件的成本差距如何拆分？
组件、硅片都会领先perc大概1-2分，电池大概比perc高2分钱。Q：Topcon的硅片能做到，是因为N型硅片的优势，还是拉棒工艺可以做到硅片更薄？
高温的工艺上，有特殊的横放的夹具的优势。Q：整个行业topcon行业的硅片的厚度下降的空间？
预计未来厚度会进一步下降，只要是相应设备顺畅度调试好，都能做到，不是一个真正的壁垒。Q：HJT和PBC的技术储备情况？
我们也都在进行产品的开发，我们也期待对产品和技术的百花齐放的局面。目前的阶段，新技术并没有相互替代的关系，多种技术路线并行。Topcon目前是最具备性价比的产品。未来随着各种技术的升级，产品功率的优势也会持续保持，这也是我们目前的大规模扩产的主要原因。Q：HJT有个微晶化技术，这个技术可以用在topcon上吗？
Topcon本身已经是微晶化了，不管是HJT还是topcon都可以兼容薄硅片。微晶化主要是在于晶化程度，topcon晶化程度很高，所以一直都是微晶化。Hjt因为是低温工艺，所以晶化程度低，现在在朝着微晶化做。Q：组件端有没有设备需要更换？
基本没有差异。Q：现有串焊设备对厚度减薄有没有不利影响？
串焊主要是看焊丝的厚度。焊丝已经可以越来越细，越来越薄，对薄片的接受度就越来越高了。Q：topcon和perc相比发电性能如何？
同样功率的组件，topcon相比perc发电性能也更好。
3%发电性能的提升两个方面，一个是双面率提升，对发电量有2个点以上的增加。另外一个是N型弱光性能更好，也有1%以内的提升，还包括后续衰减更低，温度系数低也能够在高温地区发电性能更好。
另外双面率我们也是有提升空间的，温度系数会随着电池开压进一步提升，温度系数有望进一步下降，发电性能会进一步提升。Q：激光掺硼设备对topcon效率提升有明显的效果，这块公司认证情况怎么样？
激光掺杂是在硼扩上的，激光掺杂非常难，这个技术本身就是一个能比较大幅提高效率的技术。激光掺杂也是在我们路线图当中的一个可能性。不管是我们工艺技术的本身，还是设备开发，都是非常有难度的事情。这个事情晶科也在做，在这个技术上也有一些正向的突破。
对于perc的掺杂，磷的扩散比较容易，低温就可以扩散，所以磷扩使用的能量比较低。
硼扩要求度左右，需要高能量，高能量激光会造成高损伤，但是高损伤对光伏电池是必须要避免的，所以这是一个高难度的事情。Q：激光在光伏应用的设备商并不多，我们和国产激光设备商合作的情况怎么样？怎么避免设备商造成的技术扩散？
设备也经过了从国外到国内的变化过程，我们不管是各个环节的设备，在topcon已经基本没有国外的设备，基本都是国内设备。设备方面，晶科最大的优势是工艺领先性，topcon的技术核心很多都是工艺上面。设备而言，我们和设备开发厂商都是有一定时间的保密期的。所以从这些点来说，我们可以通过最新技术的不断开发，也能不断创造领先性。Q：现在是24.5%左右的量产效率，后续提效除了激光掺硼以外，有没有其他的技术手段？往后继续提升的路径？
激光掺杂肯定是必要的手段，包括双面的poly在topcon的应用、更加先进的金属化技术的应用，都是必要的手段。
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